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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本公开提供一种内连线结构，位于半导体晶粒上，包括：一下层导电层；设置在下层导电层上方的一上层导电层；以及设置在下层导电层及上层导电层之间的一垂直内连线组件VIA。垂直内连线组件包括：一主内连线结构及设置在主内连线结构周围并与主内连线结构隔开一距离的牺牲的应力阻隔环。内连线结构的制造方法包括：形成一介电层于下层导电层上；图案化一光致抗蚀剂层于介电层上，以定义出多个VIA沟槽的位置，其中图案化包括对光致抗蚀剂层进行图案化，以提供用于VIA的一中心开口，中心开口由用于VIA的一环形开口所环绕，其中该中心开口与环形开口隔开。
主权项：1.一种内连线结构，位于一半导体晶粒上，其特征在于，包括：一下层导电层；一上层导电层，设置于该下层导电层上方；以及一垂直内连线组件，设置于该下层导电层与该上层导电层之间，提供了一传导路径于该下层导电层与该上层导电层之间，该垂直内连线组件包括：一主内连线结构；以及一牺牲的应力阻隔环，设置成围绕该主内连线结构，并与该主内连线结构隔开一距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 内连线结构
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