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申请/专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
摘要：本公开涉及蚀刻组合物，该蚀刻组合物可供使用于，例如，作为多步骤半导体制备过程中的中间步骤，选择性地从半导体基板去除硅锗SiGe。
主权项：1.一种蚀刻组合物，包含：至少一种含氟酸，所述至少一种含氟酸包含氢氟酸，且所述至少一种含氟酸的量为所述组合物的至多0.5wt％；至少一种氧化剂，所述至少一种氧化剂的量为所述组合物的5wt％至10wt％；至少一种有机酸或其酸酐，所述至少一种有机酸包含甲酸、乙酸、丙酸或丁酸中的一种或多种，且所述至少一种有机酸或其酸酐的量为所述组合物的50wt％至80wt％；至少一种聚合萘磺酸，所述至少一种聚合萘磺酸的量为所述组合物的0.005wt％至0.1wt％，所述至少一种聚合萘磺酸包含具有如下结构的磺酸： 其中n是3至6；至少一种胺，所述至少一种胺包含化学式I：N-R1R2R3的胺，其中R1是任选地被OH或NH2取代的C1-C8烷基，R2是H或任选地被OH取代的C1-C8烷基，以及R3是任选地被OH取代的C1-C8烷基，所述至少一种胺的量为所述组合物的0.001wt％至0.1wt％；以及水。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 富士胶片电子材料美国有限公司 蚀刻组合物
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