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申请/专利权人：上海晶岳电子有限公司
摘要：本发明提供了一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法，其中LDMOS工艺TVS器件包括：基板主体，基板主体包括元胞区、触发区和终端区；元胞区中形成有MOS管，触发区中形成有TVS管，TVS管为N型半导体和P半导体相互间隔的结构；基板主体上形成有栅极电阻、栅极结构、互连金属；构成TVS管、栅极电阻和栅极结构的材料在同一工艺步骤中形成；栅极结构与MOS管的栅极相连接；互连金属使TVS管的阳极通过栅极结构与MOS管的栅极相连接；使栅极电阻并联于TVS管的阳极与MOS管的源极之间；使MOS的漏极与TVS管的阴极相连；MOS管通过LDMOS工艺制造，互连金属均设置在基板主体的同一侧。
主权项：1.一种LDMOS工艺TVS器件，其特征在于，包括：基板主体，所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区；所述元胞区中形成有MOS管，所述触发区中形成有TVS管，所述TVS管为N型半导体和P半导体相互间隔的结构；所述基板主体上形成有栅极电阻、栅极结构、互连金属；构成所述TVS管、所述栅极电阻和所述栅极结构的材料在同一工艺步骤中形成；所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；所述互连金属使所述TVS管的阳极通过所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；使所述栅极电阻并联于所述TVS管的阳极与所述MOS管的源极之间；使所述MOS管的漏极与所述TVS管的阴极相连；所述MOS管通过LDMOS工艺制造，所述互连金属均设置在所述基板主体的同一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海晶岳电子有限公司 一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法
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