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申请/专利权人：上海维安半导体有限公司
摘要：一种基于SOI衬底的TVS器件及其制造方法，所述的TVS器件基本单元由二氧化硅埋层和二氧化硅深、浅槽构成隔离层，所述的二氧化硅埋层表面有依序第一二氧化硅深槽、第一N‑区、N+区、第二二氧化硅深槽、第二N‑区、NW区和第三二氧化硅深槽，包含二个结构相同且由P+P‑N‑区构成的降电容二极管一、二，且第一、二P+区二侧均有二氧化硅槽隔离；一个由NWP+区构成TVS管。本发明还提供了上述TVS器件的制造方法。本发明TVS器件产品大大减小了TVS器件在工作时的漏电损耗，超低电容，更低钳位电压和降低了体内寄生电阻，因此钳位电压也相应很低。比常规产品低20%左右。
主权项：1.一种基于SOI衬底的TVS器件，采用SOI衬底，其特征在于，基本单元由二氧化硅埋层和二氧化硅槽构成隔离层，所述的二氧化硅埋层表面依序有第一二氧化硅深槽、第一N-区、N+区、第二二氧化硅深槽、第二N-区、NW区和第三二氧化硅深槽，其中，所述的二氧化硅埋层厚度不小于6000Å；在第一N-区表面并列设有第一P-区、第一二氧化硅浅槽，在第二N-区表面并列设有第二P-区、第二二氧化硅浅槽，且分别在第一P-区、第二P-区表面掺杂形成第一P+区、第二P+区，构成二个结构相同且由P+P-N-区构成的降电容二极管，且第一P+区二侧有第一二氧化硅深槽和第一二氧化硅浅槽隔离；第二P+区二侧有第二二氧化硅深槽和第二二氧化硅浅槽隔离；在NW区表面掺杂形成有第三P+区，由NW第三P+区构成TVS管，第三P+区截面大于第一P+区、第二P+区的截面，且第三P+区二侧由第二二氧化硅浅槽、第三二氧化硅深槽隔离；在第一P+区和第三P+区上表面有金属接地端，在N+区和第二P+区上表面有金属IO端，上表面其他部分由钝化层覆盖隔离；其中，所述的第一、第二N-区层厚为2~8μm；所述的第一、第二、第三二氧化硅深槽的深度为2~8μm；所述的第一、第二二氧化硅浅槽深度在0.5~1μm；所述的第一、第二P+区深度小于第一、第二二氧化硅浅槽的深度，所述的第一、第二P-区深度小于或等于第一、第二二氧化硅浅槽的深度。
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