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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供一种光刻对准结构、半导体器件及光刻对准结构的形成方法，属于半导体器件制造技术领域。光刻对准结构包括辅助图案和对准标记，其中，辅助图案位于第一晶片层中，辅助图案包括多个第一栅条，多个第一栅条沿第一方向平行排列；对准标记位于第二晶片层中，第二晶片层位于第一晶片层的上方，对准标记包括多个第二栅条，多个第二栅条沿第二方向平行排列；并且，第一方向与第二方向相垂直，第二方向与光刻扫描方向相平行，对准标记与辅助图案在高度方向的投影上至少部分重叠。本发明的光刻对准结构在对准标记底层置入辅助图案，可以在消除负载效应的同时，避免引入对于对准标记的噪声干扰。
主权项：1.一种光刻对准结构，其特征在于，包括：辅助图案，所述辅助图案位于第一晶片层中，所述辅助图案包括多个第一栅条，所述多个第一栅条沿第一方向平行排列；对准标记，所述对准标记位于第二晶片层中，所述第二晶片层位于所述第一晶片层的上方，所述对准标记包括多个第二栅条，所述多个第二栅条沿第二方向平行排列；其中，所述第一方向与所述第二方向相垂直，所述第二方向与光刻扫描方向相平行，所述对准标记与所述辅助图案在高度方向的投影上至少部分重叠；所述辅助图案在对准光照下形成背景光，所述背景光在所述第一方向上具有周期特征，所述对准标记在对准光照下于所述背景光中形成衍射图像，所述衍射图像在所述第二方向上具有衍射特征，所述衍射图像在所述第二方向上的衍射特征与掩模版中的参考标记配合对准。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 光刻对准结构、半导体器件及光刻对准结构的形成方法
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