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申请/专利权人：琳得科株式会社
摘要：本发明涉及用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜、且在给定条件下测定的凹部深度为5μm以上的热固性树脂膜、具备该热固性树脂膜的复合片、具有使用该热固性树脂膜形成的保护膜的半导体芯片、以及该半导体芯片的制造方法。
主权项：1.一种热固性树脂膜，其用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述热固性树脂膜的在下述条件下测定的凹部深度为5μm以上，凹部深度的测定条件：准备槽部形成晶片，所述槽部形成晶片在8英寸尺寸的硅晶片的一面沿纵向及横向以等间隔形成宽度75μm、深度200μm且不到达背面的直线状的槽，并且在所述一面具有格子状的槽部、和被该槽部包围着四周的多个非槽形成部，其中，所述槽部以使所述非槽形成部在俯视图中的尺寸为2mm见方的间隔形成，在所述槽部形成晶片的形成有所述槽部一侧的面粘贴所述热固性树脂膜，用所述热固性树脂膜包覆所述非槽形成部，并且将所述热固性树脂膜埋入所述槽部，得到带热固性树脂膜的槽部形成晶片，将该带热固性树脂膜的槽部形成晶片的热固性树脂膜以160℃加热1小时而使其固化，得到带固化树脂膜的槽部形成晶片，将该带固化树脂膜的槽部形成晶片沿着在俯视图中与所述槽部正交且通过所述非槽形成部的中心的切断线切断而形成截面，利用显微镜观察所述截面，在得到的截面图像中，确定与位于所述非槽形成部上的固化树脂膜的表面相当的基准线A，确定与该基准线A平行、且在能够与位于所述槽部上的固化树脂膜的表面接触的范围内位于最远离基准线A的位置的凹部深度线B，求出基准线A与凹部深度线B的最短距离C，在任意5个槽部中求出该最短距离C，将对其进行算术平均而得到的值作为凹部深度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 琳得科株式会社 热固性树脂膜、复合片、半导体芯片、以及半导体芯片的制造方法
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