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申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司
摘要：本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底、第一阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极，场板凹槽，形成于漂移区；夹层结构，形成于场板凹槽内，夹层结构由下至上依次包括：第一氧化层、氮化硅层和第二氧化层；第一氧化层为中间薄两边厚的构型，包括：垫底氧化层和两个氧化侧墙，氧化侧墙突出于衬底；多晶硅层，形成于夹层结构上表面；多晶硅层和夹层结构共同构成场板结构，在多晶硅层施加电压之后，夹层结构能存储电荷，控制载流子在漂移区内的流通路径。本发明能够存储电荷，改善表面的自热效应，提高击穿电压，提高器件的可靠性，增强场板的作用，提高击穿电压，节省工艺流程。
主权项：1.一种横向双扩散场效应晶体管，包括：衬底、第一阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：场板凹槽，形成于所述漂移区；夹层结构，形成于所述场板凹槽内，所述夹层结构由下至上依次包括：第一氧化层、氮化硅层和第二氧化层；其中，所述第一氧化层为中间薄两边厚的构型，所述第一氧化层包括：位于所述场板凹槽槽底的垫底氧化层和两个位于所述场板凹槽槽口两端的氧化侧墙，所述氧化侧墙突出于所述衬底上表面；多晶硅层，形成于所述夹层结构上表面；所述多晶硅层和所述夹层结构共同构成场板结构，在所述多晶硅层施加电压之后，所述夹层结构能够存储电荷，并控制载流子在所述漂移区内的流通路径。
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百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司 横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
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