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基板处理方法及基板处理装置 

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申请/专利权人:株式会社斯库林集团

摘要:本发明提出一种基板处理方法及基板处理装置。在第二液体供给工序中,在基板的上表面形成第二液膜、及包围第二液膜的侧方的第一液膜。而且,在蒸汽层形成工序中,形成通过对基板进行加热而与基板的上表面接触的第二液体蒸发所成的第二蒸汽层,在所述第二蒸汽层上保持第二液膜。由于第二液膜中所含的第二液体的蒸汽压高,故可将浮起的第二液膜的下表面的高度位置保持得高。通过向浮起的第二液膜吹附气体,在第二液膜上形成孔,通过朝向基板的外周扩大所述孔,将第一液体及第二液体向基板外排除。

主权项:1.一种基板处理方法,包括:液膜形成工序,向水平保持的基板的上表面供给第一液体及具有较所述第一液体的蒸汽压更高的蒸汽压的第二液体,在所述基板的上表面形成包含所述第二液体的第二液膜、及包含所述第一液体且包围所述第二液膜的侧方的第一液膜;蒸汽层形成工序,通过对所述基板进行加热,至少使与所述基板的上表面接触的所述第二液体蒸发,在所述第二液膜及包围所述第二液膜的侧方的所述第一液膜存在于所述基板的上表面的状态下,在所述第二液体与所述基板的上表面之间形成包含所述第二液体的蒸汽的第二蒸汽层,且将所述第二液膜保持在所述第二蒸汽层上;以及气体吹附排除工序,在形成所述第二蒸汽层之后,向所述第二液膜吹附气体而部分排除所述第二液体,由此在所述第二液膜上开孔,进而朝向所述基板的外周扩大所述孔,使所述第二液膜在所述第二蒸汽层上移动,由此将所述第一液体及所述第二液体向所述基板外排除。

全文数据:

权利要求:

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