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申请/专利权人：索泰克公司
摘要：本发明涉及一种用于制造双绝缘体上半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供第一供体衬底和处理衬底1，‑在第一供体衬底中形成弱化区，以界定待转移的第一半导体层2b，‑将第一供体衬底接合到处理衬底1，第一电绝缘层2a位于界面处，并且在弱化区进行分离，‑处理第一转移的半导体层2b的表面，其包括以下步骤：E1快速热退火，E2热氧化随后去氧化，E3在非氧化气氛下在高于1000℃的温度下的平滑热处理，E4化学机械抛光，‑提供待转移的第二半导体层3b的第二供体衬底，‑转移层3b，第二电绝缘层3a位于界面处。
主权项：1.一种用于制造双绝缘体上半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：-提供第一供体衬底和处理衬底1，-在所述第一供体衬底中形成弱化区，以界定待转移的第一半导体层2b，-将所述第一供体衬底接合到所述处理衬底1，第一电绝缘层2a位于所述处理衬底1与所述第一供体衬底之间的界面处，并且在所述弱化区分离所述第一供体衬底，以获得绝缘体上半导体结构，所述绝缘体上半导体结构从背面到正面包括所述处理衬底1、所述第一电绝缘层2a和第一转移的半导体层2b，-处理所述第一转移的半导体层2b的自由表面，-提供待转移的第二半导体层3b的第二供体衬底，-将所述第二半导体层3b转移到所述绝缘体上半导体结构的所述正面，第二电绝缘层3a位于所述第一转移的半导体层2b与所述第二供体衬底之间的界面处，其中处理所述第一转移的半导体层2b的表面包括以下连续步骤：E1快速热退火，E2包括热氧化随后去氧化的序列，E3在非氧化气氛下在高于1000℃的温度下的平滑热处理，E4化学机械抛光。
全文数据：
权利要求：
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