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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：本申请公开一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括：提供一基底；在该基底上形成多个导电层，并在该多个导电层上形成多个硬遮罩层；在该多个导电层之间及该多个硬遮罩层之间形成一填充层，并在该填充层中形成一气隙；以及在该多个硬遮罩层及该填充层上形成一介电层。该填充层包括碳氮化硼。
主权项：1.一种半导体元件的制备方法，包括：提供一基底；在该基底上形成多个导电层，并在该多个导电层上形成多个硬遮罩层；在该多个导电层之间及该多个硬遮罩层之间形成一填充层，并在该填充层中形成一气隙；以及在该多个硬遮罩层及该填充层上形成一介电层，其中该填充层包括碳氮化硼。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有填充层的半导体元件的制备方法
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