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申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本发明提供通过设备热膨胀量确定影响晶圆切割后整批形貌的方法，涉及晶圆形貌异常探究方法技术领域，预先通过DOE正交试验及出刀、入刀趋势试验，筛选出影响晶圆切割后整批形貌的因素，然后根据影响因素调整夹紧温度，进而调整夹紧装置的膨胀量，使得晶圆切割后得到的整批次的proflie相同，整批次的硅片的形貌一致。
主权项：1.一种通过设备热膨胀量确定影响晶圆切割后整批形貌的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：对夹紧装置进行受力、膨胀分析，得到待切割晶锭产生的位移方向；S2：通过控制夹紧装置的温度控制夹紧装置的热膨胀，探究影响待切割晶锭切割后整批形貌的因素，避免待切割晶锭产生位移，所述影响待切割晶锭切割后整批形貌的因素通过以下步骤确定：第一步：根据待切割晶锭尺寸预设夹紧温度为第一预定温度；第二步：根据待切割晶锭切割深度在第一预定温度内设计DOE正交试验，确定不同切割位置的夹紧温度对硅片形貌的影响因素；记录硅片每次出刀、入刀的位移趋势，得到相关性影响因素；第三步：根据第二步得到影响待切割晶锭切割后整批形貌的因素；S3：根据影响因素调整多线切割工艺参数。
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