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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：本发明涉及具有降低的栅极泄漏的HEMT器件及其制造工艺。HEMT器件形成在具有半导体异质结构的半导体本体上。半导体材料的控制区域布置在半导体本体上并且具有顶表面和横向侧。导电材料的控制端子在控制区域的顶表面上延伸并与其接触。非导电材料的钝化层在半导体本体上、部分地在控制区域的顶表面上以及在控制区域的横向侧上、横向地且在距控制端子一定距离处延伸。
主权项：1.一种HEMT器件，包括：具有半导体异质结构的半导体本体；控制区域，包括半导体材料，所述控制区域位于所述半导体本体上，所述控制区域具有顶表面和多个横向侧面；导电材料的控制端子，所述控制端子在所述控制区域的顶表面上延伸并与所述控制区域的顶表面接触；非导电材料的钝化层，所述钝化层在所述半导体本体上、部分地在所述控制区域的顶表面上以及在所述控制区域的所述多个横向侧面上延伸，所述钝化层横向布置并且距所述控制端子一定距离；以及非导电材料的多个间隔件区域，所述多个间隔件区域在所述控制端子和所述钝化层之间延伸，所述钝化层不与所述多个间隔件区域重叠。
全文数据：
权利要求：
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