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申请/专利权人：南方科技大学
摘要：本发明涉及一种单晶氧化物外延薄膜的生长方法及氧化物薄膜，其中，单晶氧化物外延薄膜的生长方法，包括以下步骤：将目标薄膜中每种金属对应的二元氧化物分别制作成独立靶材，独立靶材之间相对能够自由切换对应至生长衬底；按照目标薄膜的晶体结构确定金属氧化物生长时序和生长量；按照金属氧化物生长顺序和生长量设置控制程式，用以实现将相应的金属氧化物的独立靶材切换至与生长衬底对齐的位置，在氧化性气氛下，采用脉冲激光定量烧蚀当前的独立靶材以产生等离子羽辉并沉积在衬底上；按照前述方式逐层沉积满晶体结构的原子层，形成目标薄膜。其有益效果是，其能够实现复杂氧化物精确定量掺杂生长，且掺杂浓度在单个样品中连续可调。
主权项：1.一种单晶氧化物外延薄膜的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将目标薄膜中每种金属对应的二元氧化物分别制作成独立靶材，独立靶材之间相对能够自由切换对应至生长衬底；S2、按照目标薄膜的晶体结构确定金属氧化物生长时序和生长量；S3、按照S2中金属氧化物生长顺序和生长量设置控制程式，用以实现将相应的金属氧化物的独立靶材切换至与生长衬底对齐的位置，在氧化性气氛下，采用脉冲激光定量烧蚀当前的独立靶材以产生等离子羽辉并沉积在衬底上；按照前述方式逐层沉积满晶体结构的原子层，形成目标薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南方科技大学 一种单晶氧化物外延薄膜的生长方法及氧化物薄膜
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