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申请/专利权人：天津理工大学
摘要：本发明公开了一种氦气冷却的单晶硅成长装置及方法，氦气冷却的单晶硅生长装置，包括炉体、保温筒和导流筒，保温筒紧贴炉体内壁设置，导流筒设置于炉体顶部，炉体内部设置有用于放置熔融态硅的坩埚；还包括设置于导流筒上部的氦气冷却装置，氦气冷却装置包括冷却部件、进口管道和出口管道；所述冷却部件为空心圆台结构，冷却部件内部形成氦气流通腔，氦气流通腔内部设置有阻流翅片；进口管道和出口管道分别连接冷却部件并与氦气流通腔连通。本发明提供以氦气作为冷却介质，氦气冷却比水冷的换热量更大，能够更有效的带走结晶潜热，从而提高在单晶炉中对单晶生长过程中晶体的冷却散热效率，能够用于拉制高质量大尺寸单晶硅棒。
主权项：1.一种氦气冷却的单晶硅生长装置，包括炉体、保温筒和导流筒，保温筒紧贴炉体内壁设置，导流筒设置于炉体顶部，炉体内部设置有用于放置熔融态硅的坩埚；其特征在于：还包括设置于导流筒上部的氦气冷却装置，氦气冷却装置包括冷却部件、进口管道和出口管道；所述冷却部件为空心圆台结构，冷却部件内部形成氦气流通腔，氦气流通腔内部设置有阻流翅片；进口管道和出口管道分别连接冷却部件并与氦气流通腔连通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津理工大学 氦气冷却的单晶硅成长装置及方法
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