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申请/专利权人:旺宏电子股份有限公司
摘要:本公开提供了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括基底、堆叠结构、支撑柱与通道柱;基底包括周边区与阵列区;堆叠结构位于基底上;支撑柱位于周边区中,支撑柱穿过堆叠结构;通道柱位于阵列区中,通道柱穿过堆叠结构,支撑柱的厚度大于通道柱的厚度。
主权项:1.一种半导体结构,包括:基底,包括周边区与阵列区;堆叠结构,位于所述基底上;支撑柱,位于所述周边区中,且穿过所述堆叠结构;以及通道柱,位于所述阵列区中,且穿过所述堆叠结构,其中所述支撑柱的厚度大于所述通道柱的厚度。
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百度查询: 旺宏电子股份有限公司 半导体结构及其制造方法
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