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申请/专利权人：美科米尚技术有限公司
摘要：一种制造微型元件的方法包含：制备III氮化物磊晶结构包含p型III氮化物层、在p型III氮化物层上的n型III氮化物层、在n型III氮化物层上的AlxIII_others1‑xN层以及在AlxIII_others1‑xN层上的未掺杂III氮化物层；形成光阻层于III氮化物磊晶结构上以接触未掺杂III氮化物层；图案化光阻层；经由经图案化的光阻层对III氮化物磊晶结构执行第一等离子蚀刻工艺以在经蚀刻的III氮化物磊晶结构中形成沟槽，其中沟槽由经蚀刻的光阻层至少延伸至AlxIII_others1‑xN层；以及对经蚀刻的III氮化物磊晶结构执行第二等离子蚀刻工艺，直至经蚀刻的III氮化物磊晶结构被切割成多个微型元件且经蚀刻的AlxIII_others1‑xN层的顶面被暴露出。
主权项：1.一种制造微型元件的方法，其特征在于，包含：制备III氮化物磊晶结构，该III氮化物磊晶结构包含p型III氮化物层、在该p型III氮化物层上的n型III氮化物层、在该n型III氮化物层上的AlxIII_others1-xN层以及在该AlxIII_others1-xN层上的未掺杂III氮化物层，其中x大于0.05；形成光阻层于该III氮化物磊晶结构上，使该未掺杂III氮化物层接触该光阻层；图案化该光阻层；经由经图案化的该光阻层对该III氮化物磊晶结构执行第一等离子蚀刻工艺以在经蚀刻的该III氮化物磊晶结构中形成沟槽，其中该沟槽由经蚀刻的该光阻层至少延伸至该AlxIII_others1-xN层；以及对经蚀刻的该III氮化物磊晶结构执行第二等离子蚀刻工艺，直至经蚀刻的该III氮化物磊晶结构被切割成多个微型元件且经蚀刻的该AlxIII_others1-xN层的顶面被暴露出，其中所述多个微型元件的侧向长度小于约100μm。
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百度查询： 美科米尚技术有限公司 制造微型元件的方法
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