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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：存储器单元包括第一有源区和第二有源区以及第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构接合第一和第二有源区，分别形成第一下拉晶体管和第一上拉晶体管。第二栅极结构接合第一和第二有源区，分别形成第二下拉晶体管和第二上拉晶体管。存储器单元还包括电耦合到第一和第二下拉晶体管的第一源极漏极接触通孔、电耦合到第一和第二上拉晶体管的第二源极漏极接触通孔、电耦合到第一栅极结构的第一栅极接触件和电耦合到第二栅极结构的第二栅极接触件。在存储器单元的俯视视角下，第一和第二源极漏极接触通孔中的一个的面积大于第一栅极接触件和第二栅极接触件中的任一个的面积。本申请的实施例还提供了一种半导体器件。
主权项：1.一种存储器单元，包括：第一有源区和第二有源区，其中，所述第一有源区和所述第二有源区中的每个在第一方向上纵向延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构中的每个在垂直于所述第一方向的第二方向上纵向延伸，所述第一栅极结构接合所述第一有源区和所述第二有源区以分别形成第一下拉晶体管和第一上拉晶体管，并且所述第二栅极结构接合所述第一有源区和第二有源区以分别形成第二下拉晶体管和第二上拉晶体管；第一源极漏极接触通孔，电耦合到所述第一下拉晶体管和所述第二下拉晶体管的第一公共源极漏极；第二源极漏极接触通孔，电耦合到所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管的第二公共源极漏极；第一栅极接触件，电耦合到所述第一栅极结构；以及第二栅极接触件，电耦合到所述第二栅极结构，其中，在所述存储器单元的俯视视角下，所述第一源极漏极接触通孔和所述第二源极漏极接触通孔中的一个的面积大于所述第一栅极接触件和所述第二栅极接触件中的任一个的面积。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器单元及半导体器件
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