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申请/专利权人：东南大学

摘要：本发明涉及一种高可靠性低损耗的功率器件，包括顶部金属层（1）、各个元胞，以及底部金属层（14）、第一导电类型衬底层（13）、第一导电类型外延层（12）；将第二导电类型深体区（7）延伸至第一导电类型外延层（12）深处，并通过特定刻蚀工艺在底端形成沟槽尖端，将电场转移至深体区，在不影响器件耐压水平的前提下，降低异质结界面处电场，降低漏电流；并且使得第一导电类型外延层（12）的掺杂浓度得以提升，进而提高漂移区和第一导电类型JFET区（10）载流子浓度，进一步降低导通电阻。本发明还提出了相应制造方法，解决了传统功率器件比导通电阻大、续流电压大和漏电流大的问题。

主权项：1.一种高可靠性低损耗的功率器件，其特征在于：包括顶部金属层1、各个元胞，以及自下而上依次设置的底部金属层14、第一导电类型衬底层13、第一导电类型外延层12；各个元胞的结构彼此相同，各个元胞分布于第一导电类型外延层12上表面，各个元胞分别基于第一导电类型外延层12上表面、并向下延伸至第一导电类型外延层12内部进行设置，顶部金属层1覆盖于各个元胞的上表面；若元胞为第一类型结构，各个元胞分别均包括A结构、B结构、中间体区结构、外侧体区结构、表面金属层2，中间体区结构位于A结构与B结构彼此相对侧面之间，A结构与B结构彼此相对侧面分别与其所面向中间体区结构的表面相接触，基于A结构、B结构、中间体区结构所构第一整体结构，外侧体区结构连接于第一整体结构的外侧面，A结构、B结构、中间体区结构、外侧体区结构分别均基于第一导电类型外延层12上表面、并向下延伸至第一导电类型外延层12内部进行设置，基于A结构、B结构、中间体区结构、外侧体区结构所构第二整体结构，表面金属层2沿第二整体结构上除B结构上表面以外的其他上表面区域进行设置；若元胞为第二类型结构，各个元胞分别均包括A结构、外侧体区结构、表面金属层2，外侧体区结构连接于A结构的外侧面，A结构、外侧体区结构分别均基于第一导电类型外延层12上表面、并向下延伸至第一导电类型外延层12内部进行设置，基于A结构、外侧体区结构所构第二整体结构，表面金属层2沿A结构、外侧体区结构所构整体结构的上表面区域进行设置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东南大学 一种高可靠性低损耗的功率器件及制造方法