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申请/专利权人：浙江康鹏半导体有限公司
摘要：本发明公开一种磷化铟半导体材料的合成工艺，属于半导体材料制备技术领域，将高纯铟与高纯磷分别置于封闭的石英管内的两端，升温使磷蒸汽与铟金属熔体反应生成磷化铟，盛铟石英舟表面形成有磷化‑氧化的铟复合薄膜，在石英管内的铟金属区和红磷区间设置石英隔板，提高了磷蒸汽的扩散，同时也降低了硅沾污。
主权项：1.一种磷化铟半导体材料的合成工艺，其特征在于，包括以下步骤：（1）前处理称取氢氧化铟并分散在乙醇水溶液中，加入冰乙酸调节pH为酸性，在40-50℃下保温反应1-2h，减压浓缩后得到涂布溶液，将所述涂布溶液涂布在石英舟内表面，干燥后入管式炉，在流动空气中升温至300-500℃并保温2-4h，冷却后在所述石英舟内加入次磷酸钠，气流后段的非加热区放置硫酸镁粉末，在流动的保护气氛下升温至500-600℃并保温1-3h，冷却至室温，得到前处理的石英舟；（2）多晶合成将高纯铟金属盛放在所述石英舟上并置于石英管的一端，在所述石英管的另一端放置高纯红磷，在所述石英管中间的区段内壁上间隔交叉地设置有若干石英隔板，所述石英隔板与所述石英管的轴向方向垂直，所述石英隔板为直径与所述石英管内壁直径相同的弓状，所述石英隔板开设有若干孔洞；放置完成后将所述石英管抽真空并熔融密封，将所述石英管的铟金属区和红磷区分别进行升温加热，铟金属与磷蒸汽反应生成磷化铟多晶；（3）单晶生长以磷化铟多晶为原料在高压单晶炉中进行磷化铟单晶生长，制得所述磷化铟半导体材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江康鹏半导体有限公司 一种磷化铟半导体材料的合成工艺
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