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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司
摘要：在根据本发明的实施方案的氧化物半导体膜的蚀刻方法中，通过使用第一稀有气体在所述氧化物半导体膜中形成改性层，并且通过使用与所述第一稀有气体不同的第二稀有气体对所述改性层进行溅射。
主权项：1.氧化物半导体膜的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括：通过使用第一稀有气体，在所述氧化物半导体膜中形成改性层；和通过使用不同于所述第一稀有气体的第二稀有气体，对所述改性层进行溅射，其中，作为所述第一稀有气体，使用具有比所述第二稀有气体的分子量小的分子量的稀有气体，其中，在用所述第一稀有气体向所述氧化物半导体膜照射之后，用所述第二稀有气体照射，其中，作为所述第一稀有气体，使用氦（He）和氖（Ne）中的至少一种，且作为所述第二稀有气体，使用氖（Ne）、氩（Ar）和氙（Xe）中的至少一种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索尼半导体解决方案公司 氧化物半导体膜的蚀刻方法
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