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申请/专利权人：江苏日久光电股份有限公司
摘要：本发明公开了一种非结晶ITO膜及其制备方法，该非结晶ITO导电膜包括基材层、涂布阻隔层和非结晶ITO层。涂布阻隔层设置于基材层的一侧；镀膜阻隔层，设置于所述涂布阻隔层远离所述基材层的一侧，所述镀膜阻隔层为硅镀膜层，厚度介于1nm‑2nm之间；非结晶ITO层设置于所述镀膜阻隔层远离所述涂布阻隔层的一侧，所述非结晶ITO层由非结晶ITO形成。本发明的非结晶ITO导电膜采用非结晶ITO，在制备过程中无需进行老化，可以避免基材层发白或变模糊从而提高了导电膜的显示效果且进一步降低了导电膜的制造成本。
主权项：1.一种非结晶ITO导电膜，其特征在于，包括：基材层；涂布阻隔层，设置于所述基材层的一侧；镀膜阻隔层，设置于所述涂布阻隔层远离所述基材层的一侧，所述镀膜阻隔层为硅镀膜层，厚度介于1nm-2nm之间；以及非结晶ITO层，设置于所述镀膜阻隔层远离所述涂布阻隔层的一侧，所述非结晶ITO层由非结晶ITO形成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏日久光电股份有限公司 非结晶ITO导电膜及其制备方法
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