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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种半导体装置及其制造方法和一种电子系统。该半导体装置包括单元区，其中单元区包括：单元阵列区；邻近于单元阵列区的连接区；包括多个栅电极的栅极堆叠结构，其中栅极堆叠结构包括上结构和下结构；穿过单元阵列区中的栅极堆叠结构的多个沟道结构；以及穿过连接区中的栅极堆叠结构的多个栅极接触部分，其中，单元阵列区中的底部栅电极在上结构的底部中并且邻近于多个沟道结构中的沟道结构，并且其中，连接区中的底部绝缘部分在上结构的底部中并且邻近于多个栅极接触部分中的栅极接触部分。
主权项：1.一种半导体装置，包括：电路区，其包括外围电路结构；以及单元区，其在所述电路区上，其中，所述单元区包括：单元阵列区；连接区；栅极堆叠结构，其包括多个栅电极，其中，所述栅极堆叠结构包括所述电路区上的上结构和所述上结构与所述电路区之间的下结构；多个沟道结构，其在所述单元阵列区中穿过所述栅极堆叠结构；以及多个栅极接触部分，其在所述连接区中穿过所述栅极堆叠结构，其中，所述多个栅电极包括所述上结构的底部中的底部栅电极，其中，所述多个栅极接触部分中的栅极接触部分电连接至所述电路区和所述多个栅电极中的连接栅电极，并且通过所述栅极接触部分与所述多个栅电极中的其余栅电极之间的绝缘图案与所述其余栅电极电绝缘，其中，所述单元阵列区中的所述底部栅电极邻近于所述多个沟道结构中的沟道结构，并且其中，具有与所述绝缘图案不同的结构和或材料的底部绝缘部分在所述上结构的所述底部中并且邻近于所述栅极接触部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体装置及其制造方法和包括半导体装置的电子系统
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