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申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司
摘要：本申请公开了一种MEMS超声传感器件、制备方法及传感设备，属于MEMS传感芯片技术领域。MEMS超声传感器件包括：基底，形成有第一腔和暴露第一腔的第一开口；压电振动层，设于基底上，且覆盖第一开口；钝化层，设于基底上，且环绕压电振动层布置；谐振结构，设于钝化层远离基底的一侧，谐振结构形成有第二腔、第二开口和第三开口，第二开口和第三开口位于第二腔相对的两侧，第二开口朝向钝化层布置，且暴露压电振动层，第二腔和第三开口共同作用下的谐振频率等于压电振动层的谐振频率。超声传感芯片接收的声信号或发射的声信号在谐振腔内形成共振，增大超声传感芯片处的声压往外发射的声压，增大了超声传感芯片的发射、接收灵敏度。
主权项：1.一种MEMS超声传感器件，其特征在于，包括：基底，形成有第一腔和暴露所述第一腔的第一开口；压电振动层，设于所述基底上，且覆盖所述第一开口；钝化层，设于所述基底上，且环绕所述压电振动层布置；谐振结构，设于所述钝化层远离所述基底的一侧，所述谐振结构形成有第二腔、暴露所述第二腔的第二开口和暴露所述第二腔的第三开口，所述第二开口和所述第三开口位于所述第二腔相对的两侧，所述第二开口朝向所述钝化层布置，且暴露所述压电振动层，所述第二腔和所述第三开口共同作用下的谐振频率等于所述压电振动层的谐振频率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司 MEMS超声传感器件、制备方法及传感设备
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