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申请/专利权人：北京科技大学
摘要：本发明涉及一种氧化还原型人工突触器件及制备方法，器件结构从下到上依次为：ITO底电极、阻变层、固态电解质和顶端活性电极，所述阻变层为小分子胺去掺杂的PEDOT：PSS。本发明基于氧化还原反应所构筑的人工突触器件，实现了正向脉冲器件电导增强、负向脉冲器件电导减弱的特性。且由于氧化还原反应的连续进行，所构筑的器件实现了高动态范围的特性。利用多种表征手段，阐明了氧化还原反应在突触电导变化中的调控机制，推动了氧化还原型人工突触的发展。构筑的突触器件成功实现了多种短期可塑性模拟，包括双脉冲易化、尖峰频率依赖可塑性，尖峰宽度依赖可塑性等。
主权项：1.一种氧化还原型人工突触器件，其特征在于，所述器件结构从下到上依次为：ITO底电极、阻变层、固态电解质层和顶端活性电极，所述阻变层为小分子胺去掺杂的PEDOT：PSS，为被离子电化学掺杂后实现电导转换；所述固态电解质层用于提供锂源；所述顶端活性电极与锂源的锂离子发生氧化还原反应。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京科技大学 一种氧化还原型人工突触器件及制备方法
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