龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：西安交通大学
摘要：本申请提供了一种液相法生长碳化硅的坩埚内壁面形状确定方法和装置，涉及单晶生长技术领域，所述方法包括：获取液相法生长碳化硅系统的坩埚内壁面的形状参数以及结构信息；形状参数包括：坩埚内壁面的内径和圆角半径；建立几何模型，设置传热流动控制方程和组分输运控制方程，得到各组形状参数所对应的数值计算模型；模拟传热流动与组分输运过程，得到各个数值计算模型所对应的模拟结果；根据模拟结果，计算第一指标参数、第二指标参数和第三指标参数；第一指标参数为晶体生长速度最大不均匀率，第二指标参数为单位时间内晶体总析出量，第三指标参数为晶体生长速度标准差；根据第一、第二和第三指标参数，确定最佳形状参数。
主权项：1.一种液相法生长碳化硅的坩埚内壁面形状确定方法，其特征在于，所述方法包括：获取液相法生长碳化硅系统的坩埚内壁面的形状参数以及结构信息；所述形状参数包括：坩埚内壁面的内径和圆角半径；通过改变所述坩埚内壁面的内径或圆角半径，得到多组不同的所述形状参数；根据所述形状参数和所述结构信息，建立各组所述形状参数所对应的几何模型，并对所述几何模型进行计算网格划分，设置所述几何模型中对应计算网格的边界条件，设置传热流动控制方程和组分输运控制方程，得到各组所述形状参数所对应的数值计算模型；分别基于不同的所述形状参数所对应的数值计算模型，模拟传热流动与组分输运过程得到各个数值计算模型所对应的模拟结果；根据所述模拟结果，计算第一指标参数、第二指标参数和第三指标参数；所述第一指标参数为碳化硅晶体生长速度最大不均匀率，所述第二指标参数为单位时间内碳化硅晶体总析出量，所述第三指标参数为碳化硅晶体生长速度的标准差；根据不同的所述形状参数所对应的所述第一指标参数、所述第二指标参数和所述第三指标参数，确定所述液相法生长碳化硅系统中坩埚内壁面的最佳形状参数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种液相法生长碳化硅的坩埚内壁面形状确定方法和装置
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号