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申请/专利权人：一道新能源科技股份有限公司
摘要：本发明实施例提供了一种IBC电池及其制备方法，其中，方法包括：在硅片背面形成相互间隔的P+发射极和N+发射极后，在P+发射极和N+发射极表面形成介质层；在所述介质层上方放置转印衬底，所述转印衬底中包括金属浆料；将所述转印衬底中的金属通过激光转印至所述介质层中，以形成与所述P+发射极接触的正电极种子层、以及与所述N+发射极接触的负电极种子层；在所述正电极种子层上电镀正极栅线，并在所述负电极种子层上电镀负极栅线，制得IBC电池。本发明实施例解决了现有IBC电池的金属化方式无法在激光槽内精准形成接触电极，导致成品电池性能有所降低的问题。
主权项：1.一种IBC电池的制备方法，其特征在于，包括：在硅片背面形成相互间隔的P+发射极和N+发射极后，在P+发射极和N+发射极表面形成介质层；在所述介质层上方放置转印衬底，所述转印衬底中包括金属浆料；将所述转印衬底中的金属通过激光转印至所述介质层中，以形成与所述P+发射极接触的正电极种子层、以及与所述N+发射极接触的负电极种子层；在所述正电极种子层上电镀正极栅线，并在所述负电极种子层上电镀负极栅线，制得IBC电池。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 一道新能源科技股份有限公司 一种IBC电池及其制备方法
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