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申请/专利权人：IMEC非营利协会
摘要：本发明涉及发光二极管LED器件，尤其是微型LEDμLED器件的技术领域。在该领域中，本发明具体提出了一种用于获得在载体基板上重构的一个或多个LED器件的方法。该方法包括：提供硅基半导体基板作为载体基板，为一个或多个LED器件的每一者提供包括LED层的化合物半导体堆叠，分别将SiCN层施加到堆叠和基板；将堆叠粘合到基板，其中被施加到堆叠的SiCN层和被施加到基板的SiCN层相接触；以及在粘合之后，以等于或高于用于从堆叠完成LED器件的处理温度的温度对经粘合的堆叠和基板进行退火，其中所述温度为至少400℃。
主权项：1.一种用于获得在载体基板20上重构的一个或多个发光二极管LED器件的方法10，所述方法10包括：提供11硅基半导体基板作为载体基板20，为所述一个或多个LED器件的每一者提供12包括LED层31的化合物半导体堆叠30，将氮化碳化硅SiCN层32、21分别施加13到所述堆叠30和所述基板20，将所述堆叠30粘合14到所述基板20，其中被施加到所述堆叠30的所述SiCN层32和被施加到所述基板20的所述SiCN层21相接触，在粘合14之后，以等于或高于用于从所述堆叠30完成所述LED器件的处理温度的温度对经粘合的堆叠30和基板20进行退火15，其中所述温度为至少400℃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： IMEC非营利协会 用于获得在载体基板上重构的发光二极管的方法
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