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申请/专利权人：浙江中晶新能源股份有限公司
摘要：本发明公开了一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池，包括P型硅基体、遂穿超薄氧化层、非晶硅N+层、氮化硅钝化膜、局域硼背场、金属正电极和金属负电极，所述P型硅基体的正面设置为绒面，所述P型硅基体的背面设置有遂穿超薄氧化层，所述遂穿超薄氧化层上设置有磷掺杂退火的非晶硅N+层，所述非晶硅N+层的外侧设置有氮化硅钝化膜，所述P型硅基体的背面设置有局域硼背场，所述局域硼背场穿透氮化硅钝化膜连接有金属正电极，所述非晶硅N+层上连接有金属负电极。本发明能够降低金属接触复合电流，提升电池的开路电压和短路电流，具有良好的钝化特性，提高了转换效率，提升了有效发电面积，利于提升发电效率，外观上也更加美观。
主权项：1.一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池，其特征在于：包括P型硅基体（1）、遂穿超薄氧化层（2）、非晶硅N+层（3）、氮化硅钝化膜（4）、局域硼背场（5）、金属正电极（6）和金属负电极（7），所述P型硅基体（1）的正面设置为绒面，所述P型硅基体（1）的背面设置有遂穿超薄氧化层（2），所述遂穿超薄氧化层（2）上设置有磷掺杂退火的非晶硅N+层（3），所述非晶硅N+层（3）的外侧设置有氮化硅钝化膜（4），所述P型硅基体（1）的背面设置有局域硼背场（5），所述P型硅基体（1）的背面沉积隔离掩膜，采用激光蚀刻在隔离掩膜上蚀刻显露出局域硼背场（5）区域的P型硅基体（1）的背面，在蚀刻区域进行硼注入，激光烧蚀形成局域硼背场（5），化学腐蚀清除所有的隔离掩膜，所述局域硼背场（5）穿透氮化硅钝化膜（4）连接有金属正电极（6），所述非晶硅N+层（3）上连接有金属负电极（7）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江中晶新能源股份有限公司 一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池及其制备方法
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