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申请/专利权人：江苏晶久微电子材料有限公司
摘要：本发明公开了一种适用于IGBT晶圆硅表面处理的腐蚀剂，包括60‑100份硫酸、6‑10份硝酸、3‑5份氢氟酸以及1‑3份表面活性剂，本发明通过添加表面活性剂降低了腐蚀剂的表面张力，并且将现有技术中混酸配比的水分全部替换成酸类成分，从而使酸类成分充分有效的接触硅片的表面，有效提高腐蚀剂的腐蚀速率，在腐蚀过程中，腐蚀剂中的酸类成分在硅片表面停留的时间变短，腐蚀过后，硅片表面粗糙，无死角。本发明的腐蚀液在应用过程中稳定、可控性好、重复性好，不需要温控设备和循环设备，降低了生产成本。
主权项：1.一种适用于IGBT晶圆硅表面处理的腐蚀剂，其特征在于，原料按重量份数计，包括60-100份硫酸；6-10份硝酸；3-5份氢氟酸；1-3份表面活性剂。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏晶久微电子材料有限公司 一种适用于IGBT晶圆硅表面处理的腐蚀剂
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