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申请/专利权人：上海超捷芯软科技有限公司

摘要：本申请提供一种集成电路失效边界求解方法及装置、电子设备、介质，应用于集成电路设计技术领域，其中：先将集成电路的电路性能表示为工艺偏差变量的二次多项式模型，并构建出二次多项式模型对应的具有二次约束的二次规划问题；然后，将二次规划问题松弛为半正定规划问题；最后，通过半正定规划求解出最优解。通过不对二次规划问题直接求解，而是转换为半正定问题进行求解，不仅能够简化最优解的求解过程，提升求解效率，而且基于半正定求解，能够保证求解到全局最优解，避免了局部最优解的搜索，同样能够简化最优解的求解过程，以及提高了最优解的准确性，保证集成电路设计具有非常好的可靠性。

主权项：1.一种集成电路失效边界求解方法，其特征在于，包括：将集成电路的电路性能表示为工艺偏差变量的二次多项式模型，并构建出二次多项式模型对应的具有二次约束的二次规划问题；将二次规划问题松弛为半正定规划问题；通过半正定规划求解出最优解，其中最优解为在满足电路性能失效的前提下，使工艺偏差的二范数最小化的解，所述最优解用于形成集成电路的失效边界；其中，将二次规划问题松弛为半正定规划问题，包括：先将二次优化问题转换为拉格朗日对偶问题；其中，构建拉格朗日函数如下： 以及，对偶函数如下： 其中，A0、A1、b0、b1、c0、c1为二次优化问题的常量系数；为A0+A1为半正定时的取值；然后应用舒尔补将对偶问题表示为半正定规划问题；其中，将对偶问题表示为如下形式： 其中，和为半正定规划问题的两个优化变量；当给定电路性能失效取值，构建的所述二次规划问题为： 其中，x为电路性能二次模型中的工艺偏差向量，fspec为已知的电路性能失效取值，二次规划问题的优化目标为确定在满足fx=≥fspec条件下的最小距离dist的取值问题；A、b、c为二次规划模型的常量系数，其中A为方阵，大小与工艺偏差向量的长度相同，b为向量，长度与工艺偏差向量的长度相同，c为标量；在转化为半正定规划问题前，将所构建的所述二次规划问题变换为如下形式的二次优化问题： 其中，转换前后的常量关系如下：A0为单位矩阵，b0为零向量，c0为0；A1为-A，b1为-b，c1为fspec-c。

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