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申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明涉及一种硅基微纳结构的修饰方法，包括：提供具有微纳结构的重度掺杂硅衬底；对所述重度掺杂硅衬底进行电化学腐蚀，从而在所述微纳结构上形成多孔层；以及用碱性溶液进行清洗，从而去除所述多孔层。本发明方法只需通过一步电化学腐蚀工艺和一步碱性溶液清洗工艺即可完成。本发明方法通过精确控制电化学腐蚀工艺的过程参数，可以对已经成型的硅基微纳结构进行灵活修饰，弥补了常规微纳加工技术无法对微纳结构进行有效修饰的不足。本发明方法为功能表面的制备提供了新的思路，即通过对已经成型的硅基微纳结构进行灵活修饰来制备具有更优性能或者特殊性能的功能表面。
主权项：1.一种硅基微纳结构的修饰方法，其特征在于，包括：提供具有微纳结构的重度掺杂硅衬底，所述重度掺杂硅衬底为p型硅衬底，所述重度掺杂硅衬底的电阻率为0.01Ω·cm以下；对所述重度掺杂硅衬底进行电化学腐蚀，从而在所述微纳结构上形成多孔层；以及用碱性溶液进行清洗，从而去除所述多孔层；在进行电化学腐蚀反应之前，在所述微纳结构的上表面形成掩膜层；所述电化学腐蚀的腐蚀电流为1-100mAcm2；所述电化学腐蚀的腐蚀速率为8-18nms，通过控制所述电化学腐蚀的腐蚀时间来控制所述多孔层的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种新的硅基微纳结构的修饰方法
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