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申请/专利权人：立积电子股份有限公司
摘要：一种集成电路包括逻辑电路与放大电路，特别是低噪声放大电路。放大电路包括至少一第一晶体管。第一晶体管的栅极耦接信号输入端，且第一晶体管的源极区与漏极区分别形成于栅极两侧的第一晶体管的井区中，其中源极区耦接一参考电压端，且源极区的片电阻低于漏极区的片电阻。逻辑电路则包括至少一第二晶体管，第二晶体管的源极区的片电阻以及漏极区的片电阻相等。
主权项：1.一种集成电路，其特征在于，包括形成于一基底的一低噪声放大电路与一逻辑电路，其中：所述低噪声放大电路包括至少一第一晶体管，所述第一晶体管包括：一第一井区；一第一栅极，形成于所述第一井区上并耦接一信号输入端；以及一第一源极区与一第一漏极区，分别形成于所述第一栅极两侧的所述第一井区中，其中所述第一源极区耦接一参考电压端，且所述第一源极区的片电阻低于所述第一漏极区的片电阻；以及所述逻辑电路包括至少一第二晶体管，所述第二晶体管包括：一第二井区；一第二栅极，形成于所述第二井区上；以及一第二源极区与一第二漏极区，分别形成于所述第二栅极两侧的所述第二井区中，其中所述第二源极区的片电阻与所述第二漏极区的片电阻相等，所述第一晶体管的导通电阻小于所述第二晶体管的导通电阻。
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百度查询： 立积电子股份有限公司 集成电路
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