龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：武汉理工大学;武汉拓材科技有限公司
摘要：本发明涉及一种SiC纳米粉体的制备方法，步骤如下：1对石墨基底进行清洗；2将石墨基底放至样品台上，在沉积腔内的进气喷头和抽气出口处各固定覆盖一个洁净的铜网，并在沉积腔内设有2台激光器；3将沉积腔内抽真空至100Pa以下，开启辅热系统将石墨基底预热至100～1000℃，将进气喷头加热至200～300℃，将稀释气体、碳源和预热的卤化物硅源通入沉积腔内，开启连续红外激光器对石墨基底加热，开启皮秒紫外脉冲激光器对从进气喷头进入沉积腔的气体进行照射，反应结束后在铜网上收集得到SiC纳米粉体。本发明方法降低了反应所需的能量，从而能有效地降低沉积温度，使得在气相中能够反应生成更多的SiC。
主权项：1.一种SiC纳米粉体的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：1依次采用丙酮、酒精和去离子水对石墨基底进行清洗，备用；2将步骤1清洗干净的石墨基底放入化学气相沉积设备沉积腔内的样品台上，在沉积腔内的进气喷头和抽气出口处各固定覆盖一个洁净的铜网，所述铜网目数在200～400目之间，并在沉积腔内设有2台激光器，一台连续红外激光器用于给石墨基底加热，一台皮秒紫外脉冲激光器用于对从进气喷头进入沉积腔的气体加热；3将沉积腔内抽真空至100Pa以下，开启辅热系统将石墨基底预热至100～1000℃，将进气喷头加热至200～300℃，将稀释气体、碳源和预热至50～200℃的卤化物硅源通入沉积腔内，开启连续红外激光器对石墨基底加热，开启皮秒紫外脉冲激光器对从进气喷头进入沉积腔的气体进行照射使部分气体分子发生光解，反应结束后关闭两台激光及稀释气体、碳源和卤化物硅源，在进气喷头和抽气出口处的铜网上收集得到SiC纳米粉体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉理工大学 武汉拓材科技有限公司 一种SiC纳米粉体的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号