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申请/专利权人：北京工业大学
摘要：本发明公开了一种增强型偏振可调的VCSEL激光阵列芯片结构与制备方法，包括：半导体衬底和形成于半导体衬底上表面的半导体外延层；半导体外延层包括自下而上依次设置的N型反射镜、发光有源区、氧化限制区、P型反射镜和盖层，半导体外延层的全部或上部分呈双椭圆正交MESA结构，半导体外延层的盖层刻蚀形成亚波长表面光栅；半导体外延层上表面设置交叉环形椭圆P型金属电极，利用金属光子引线技术完成交叉环形椭圆P型金属电极的分别连通，半导体衬底下表面设置N型金属电极。本发明可同时实现VCSEL芯片稳定的偏振模式输出以及偏振模式的调控，进一步扩大VCSEL芯片在光通信网络的应用范围，提高通信数据吞吐量。
主权项：1.一种增强型偏振可调的VCSEL激光阵列芯片结构，其特征在于，包括：半导体衬底和形成于半导体衬底上表面的半导体外延层；所述半导体外延层包括自下而上依次设置的N型反射镜、发光有源区、氧化限制区、P型反射镜和盖层，所述半导体外延层的全部或上部分呈双椭圆正交MESA结构，所述半导体外延层的盖层刻蚀形成亚波长表面光栅；所述半导体外延层上表面设置交叉环形椭圆P型金属电极，所述半导体衬底下表面设置N型金属电极；所述交叉环形椭圆P型金属电极之间为电学隔离，利用金属光子引线技术实现所述交叉环形椭圆P型金属电极的分别导通，通过控制电流实现交叉环形椭圆电极的通断，从而实现不同偏振模式的激光输出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京工业大学 一种增强型偏振可调的VCSEL激光阵列芯片结构与制备方法
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