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申请/专利权人：福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
摘要：本发明实施例公开一种磁场传感器和磁场检测方法。在一具体实施方式中，该磁场传感器，包括光源、光纤、光电探测器和数据处理器；其中，至少部分所述光纤的纤芯包层包括聚二甲基硅氧烷层和设置于所述聚二甲基硅氧烷层外侧的磁致伸缩材料层；所述光源，用于向所述光纤的第一端输出设定光强的光；所述磁致伸缩材料层，用于在待测环境中的磁场的作用下产生拉伸所述聚二甲基硅氧烷层的形变，以改变所述聚二甲基硅氧烷层的折射率；所述数据处理器，用于根据所述光电探测器感测的所述光纤的第二端输出的光的光强及预存的光强与磁场强度值的对应关系，确定待测环境中的磁场强度值。
主权项：1.一种磁场传感器，其特征在于，包括光源、光纤、光电探测器和数据处理器；其中，至少部分所述光纤的纤芯包层包括对单模光纤进行微加工得到的聚二甲基硅氧烷层和设置于所述聚二甲基硅氧烷层外侧的磁致伸缩材料层；所述光源，用于向所述光纤的第一端输出设定光强的光；所述磁致伸缩材料层，用于在待测环境中的磁场的作用下产生拉伸所述聚二甲基硅氧烷层的形变，以改变所述聚二甲基硅氧烷层的折射率；所述数据处理器，用于根据所述光电探测器感测的所述光纤的第二端输出的光的光强及预存的光强与磁场强度值的对应关系，确定待测环境中的磁场强度值；所述至少部分所述光纤的纤芯包层还包括设置于所述聚二甲基硅氧烷层内侧的内包层；所述纤芯的折射率大于所述内包层的折射率；所述内包层的折射率大于所述聚二甲基硅氧烷层的折射率；所述纤芯的杨氏模量大于所述内包层的杨氏模量；所述内包层的杨氏模量大于所述聚二甲基硅氧烷层的杨氏模量；所述至少部分所述光纤的纤芯包层还包括设置于所述磁致伸缩材料层外侧的保护层；所述保护层的材料为环氧丙烯酸酯或聚丙烯酸酯。
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