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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种半导体存储器件。半导体器件可以包括：半导体衬底，具有限定有源区的器件隔离沟槽；器件隔离层，设置在器件隔离沟槽中；栅极沟槽，沿第一方向延伸并且与半导体衬底的有源区和器件隔离层交叉；字线，分别设置在栅极沟槽中，每个栅极沟槽可以包括第一沟槽部分和第二沟槽部分，第一沟槽部分在有源区中，第二沟槽部分在器件隔离层中，第一沟槽部分可以具有第一深度，并且第二沟槽部分可以具有大于第一深度的第二深度，器件隔离层可以包括下部和在下部上的上部，下部位于比第一沟槽部分的底表面低的水平处，并且下部可以由具有比上部的介电常数低的介电常数的介电材料形成。
主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有限定有源区的器件隔离沟槽；器件隔离层，设置在所述器件隔离沟槽中；栅极沟槽，沿第一方向延伸，每个栅极沟槽与所述半导体衬底的相应的多个有源区和所述器件隔离层交叉；以及字线，分别设置在所述栅极沟槽中，其中，每个栅极沟槽包括第一沟槽部分和第二沟槽部分，所述第一沟槽部分在相应的有源区中，所述第二沟槽部分在所述器件隔离层中，所述第一沟槽部分具有第一深度，并且所述第二沟槽部分具有大于所述第一深度的第二深度，其中，所述器件隔离层包括下部和在所述下部上的上部，所述下部位于比所述第一沟槽部分的底表面低的水平处，并且其中，所述器件隔离层的所述下部由具有比所述上部的介电常数低的介电常数的介电材料形成。
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