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碳化硅半导体装置 

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申请/专利权人:富士电机株式会社

摘要:本公开提供一种碳化硅半导体装置,主区不借助硅化物层就能够与主电极进行欧姆接触,并且能够抑制泄漏不良。碳化硅半导体装置具备:第一导电型的漂移层;第二导电型的基区,其设置于漂移层的上表面侧;包含3C结构的碳化硅的第一导电型的源极接触区,其设置于基区的上表面侧;栅极电极,其隔着栅极绝缘膜设置于沟槽的内侧;第二导电型的基极接触区,其设置于漂移层的上表面侧,由4H结构的碳化硅构成;由4H结构的碳化硅构成的半导体区,其设置于源极接触区与基极接触区之间;以及主电极,其与源极接触区相接地设置。

主权项:1.一种碳化硅半导体装置,具备:由碳化硅构成的第一导电型的漂移层;由碳化硅构成的第二导电型的基区,其设置于所述漂移层的上表面侧;包含3C结构的碳化硅的第一导电型的源极接触区,其设置于所述基区的上表面侧;栅极绝缘膜,其设置于贯通所述源极接触区和所述基区的沟槽的内侧;栅极电极,其隔着所述栅极绝缘膜设置于所述沟槽的内侧;第二导电型的基极接触区,其设置于所述漂移层的上表面侧,由4H结构的碳化硅构成,杂质浓度比所述基区的杂质浓度高;由4H结构的碳化硅构成的半导体区,其设置于所述源极接触区与所述基极接触区之间;以及主电极,其与所述源极接触区相接地设置。

全文数据:

权利要求:

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