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申请/专利权人:江苏籽硕科技有限公司
摘要:本发明公布了一种等离子刻蚀机刻蚀腔及等离子体刻蚀机,涉及半导体刻蚀技术领域。包括有工作台,所述工作台的上侧固接有支撑座,所述支撑座设置有第一滑动件,所述第一滑动件的内侧设置有刻蚀腔,所述刻蚀腔由竖向腔体和引导腔组成,所述引导腔为圆台形,且所述引导腔的直径由上至下逐渐减小。本发明通过改变刻蚀腔结构特征的方式解决硅片与等离子体接触时产生的热气向上移动后会影响到等离子体冲击速度的问题,通过刻蚀腔内侧向内凹陷且呈倾斜状态的作用下,对热气进行阻拦,并对硅片的上侧进行遮挡,以此减少热气向上流动的量,避免热气向上流动后影响到等离子体的冲击速度,导致硅片的上侧无法被均匀冲击。
主权项:1.一种等离子刻蚀机刻蚀腔,其特征是:包括有工作台(10),所述工作台(10)的上侧固接有支撑座(11),所述支撑座(11)设置有第一滑动件(12),所述第一滑动件(12)的内侧设置有刻蚀腔(13),所述刻蚀腔(13)由竖向腔体和引导腔(1301)组成,所述引导腔(1301)为圆台形,且所述引导腔(1301)的直径由上至下逐渐减小,所述引导腔(1301)用于遮挡所述硅片(1)被刻蚀出的热气。
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