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申请/专利权人：广东工业大学
摘要：本发明涉及半导体加工的技术领域，更具体地，涉及一种等间距的芯片扩张及巨量转移方法，包括以下步骤：S10.选择承载膜，将芯片转移到临时键合胶层；S20.分别沿X方向、Y方向拉伸承载膜，直至X方向、Y方向芯片间距扩张至设定值；S30.激光照射临时键合胶层，芯片脱离临时键合胶层并转移至承载基板的焊盘上；S40.重复步骤S10～S30，依次完成多种类型芯片的巨量转移；步骤S20在进行拉伸扩张的过程中，对芯片间距进行实时同步检测；对芯片间距存在偏差的区域，局部修正芯片在阵列中的位置及间距误差，使得所有芯片间距达到所需间距。本发明在拉伸扩张过程中，对芯片间距存在偏差的区域进行修正，使得所有芯片间距达到所需间距，实现芯片的均匀扩张和巨量精准转移。
主权项：1.一种等间距的芯片扩张及巨量转移方法，其特征在于，包括以下步骤：S10.选择承载膜1，所述承载膜1包括自上而下顺次设置的保护膜层101、临时键合胶层102以及薄膜拉伸层103，撕开保护膜层101，将芯片3转移到临时键合胶层102；S20.沿X方向拉伸承载膜1，直至X方向芯片3间距扩张至设定值；沿Y方向拉伸承载膜1，直至Y方向芯片3间距扩张至设定值；S30.激光12照射临时键合胶层102，被照射处的临时键合胶失效，芯片3脱离临时键合胶层102并转移至承载基板4的焊盘5上，完成单种类型芯片3的巨量转移；S40.重复步骤S10～S30，依次完成多种类型芯片3的巨量转移；步骤S20在进行拉伸扩张的过程中，对芯片3间距进行实时同步检测；对芯片3间距存在偏差的区域，局部修正芯片3在阵列中的位置及间距误差，使得所有芯片3间距达到所需间距；步骤S20中，在拉伸扩张过程中，对承载膜1进行整体加热以增加承载膜1的柔性；对于芯片3间距存在偏差的区域，对承载膜1的温度场进行局部调节，改变承载膜1的局部性能，修正芯片3在阵列中的位置及间距误差；对于芯片3间距偏小、阵列密度偏大的区域，采用局部加热的方法进行调节；同时，可对芯片3间距偏小、阵列密度偏大的区域吹入腐蚀性气体，以减薄承载膜1的厚度；对于芯片3间距偏大、阵列密度偏小的区域，采用局部降温的方法进行调节。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东工业大学 一种等间距的芯片扩张及巨量转移方法
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