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申请/专利权人：盐城工学院;盐城工学院技术转移中心有限公司
摘要：本发明公开了一种高热导率掺铒β相氧化镓激光晶体及其制备方法和用途，本发明利用激光加热基座法生长高热导率Er3+掺杂β‑Ga2O3晶体，解决β‑Ga2O3单晶生长的困境。此外，在β‑Ga2O3晶体共掺入去激活离子Eu3+解决Er3+4I112→4I132四能级系统激光通道下能级的阻塞，该高热导氧化镓激光晶体具有掺杂浓度适中、低声子能量、高热导率等激光特性，可作为2.6‑3μm波段中红外激光材料应用于全固态激光器中。
主权项：1.一种高热导率掺铒β相氧化镓激光晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用Ga2O3作为基体原料、Er2O3和Eu2O3作为掺杂原料，制备源棒及籽晶，然后采用激光加热基座法生长得到高热导率掺铒β相氧化镓激光晶体。
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百度查询： 盐城工学院 盐城工学院技术转移中心有限公司 一种高热导率掺铒β相氧化镓激光晶体及其制备方法和用途
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