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申请/专利权人：复旦大学
摘要：本发明公开了一种基于N型碲单质半导体的非线性霍尔整流器及其制备方法。本发明制备方法包括水热法生长碲纳米片，微纳工艺将样品制成霍尔长条，蒸镀镍金作为接触电极，整体覆盖有氧化铝薄膜用于载流子浓度调节与器件保护。本发明的整流器依托于非线性霍尔效应产生的谐振信号与整流信号，在经过氧化铝调节后，可以将P型碲调控为N型碲，进一步通过施加背栅压，费米能级接近导带底Weyl点，得到很强的非线性霍尔整流信号。本发明得到的碲的器件在室温下表现出很高性能的整流电压响应度，可达1.7×106VW。
主权项：1.一种基于N型碲单质半导体的非线性霍尔整流器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1以亚碲酸钠、水分别作为碲源和溶剂，在还原剂、模板剂和氨水作用下，通过水热法制备碲纳米片；2将含有碲纳米片的溶液涂覆在衬底上；3通过电子束胶掩膜工艺，依托电子束曝光和氩离子刻蚀技术将碲纳米片制作为霍尔长条器件；4通过物理气相沉积方法在碲霍尔长条器件侧边分别生长镍、金作为接触电极；5在霍尔长条器件表面使用磁控溅射生长方法覆盖氧化铝薄膜，以调节载流子浓度与防止器件退化，得到基于N型碲单质半导体的非线性霍尔整流器；磁控溅射生长氧化铝薄膜时，生长温度在室温～50℃之间，生长速度小于1.2nmmin。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 一种基于N型碲单质半导体的非线性霍尔整流器及其制备方法
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