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申请/专利权人：联和存储科技(江苏)有限公司
摘要：本发明涉及闪存存储器技术领域，具体公开了一种非易失性半导体存储装置及电子设备，包括：存储单元阵列、高压开关阵列和页面缓冲阵列，页面缓冲阵列通过高压开关阵列与存储单元阵列连接，每个高压开关单元均包括多个沿第一平面的第二水平方向依次排列的高压开关模块，每个高压开关模块均通过各自对应的连接线单元连接所对应的页面缓冲器和存储单元；每个高压开关单元中的每相邻两个高压开关模块与各自对应的连接线单元的连接方式均不相同以使得每相邻两个高压开关模块的相邻端子之间的电压差小于预设阈值。本发明提供的非易失性半导体存储装置能够在不增加芯片尺寸的情况下避免雪崩现象的发生。
主权项：1.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，包括：存储单元阵列、高压开关阵列和页面缓冲阵列，所述页面缓冲阵列通过所述高压开关阵列与所述存储单元阵列连接，所述存储单元阵列包括多个沿第一水平方向依次排列的存储单元，所述高压开关阵列包括多个沿第一水平方向依次排列的高压开关单元，所述页面缓冲阵列包括多个沿第一水平方向依次排列的页面缓冲器，所述页面缓冲器与所述高压开关单元之间以及所述高压开关单元与所述存储单元之间均一一对应；每个所述高压开关单元均包括多个沿第一平面的第二水平方向依次排列的高压开关模块，每个高压开关模块均通过各自对应的连接线单元连接所对应的页面缓冲器和存储单元；每个高压开关模块各自对应的连接线单元沿第二平面的第二水平方向延伸，且同一高压开关单元中的多个高压开关模块的连接线单元沿第二平面的第一水平方向依次间隔设置，其中所述第一平面和所述第二平面在垂直方向层叠设置，第一水平方向与第二水平方向垂直设置，且所述第一水平方向和所述第二水平方向均与所述垂直方向垂直设置；每个高压开关单元中的每相邻两个高压开关模块与各自对应的所述连接线单元的连接方式均不相同以使得每相邻两个高压开关模块的相邻端子之间的电压差小于预设阈值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联和存储科技(江苏)有限公司 非易失性半导体存储装置及电子设备
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