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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：提供一种具有介电衬垫的半导体结构的制备方法，包含：提供基底；在基底上设置第一导电层；移除第一导电层的部分；在第一导电层附近设置第二介电层；在第一导电层及第二介电层上设置第二导电层，在第二导电层上设置第一介电层；移除第一、第二介电层、第二导电层的部分，以形成包括第一、第二导电层及第二介电层的第一位元线结构，以及形成包括第一、第三介电层、第三导电层的第二位元线结构，并在第一、第二位元线结构之间形成凹槽；分别在第一、第二位元线结构周围形成第一、第二间隙子；在凹槽内与基底上形成第一多晶硅层；沿第一、第二间隙子的侧壁及第一多晶硅层上形成介电衬垫；在第一多晶硅层上形成第二多晶硅层；移除介电衬垫的部分。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，包括：提供一基底；在该基底上设置一第一导电层；移除该第一导电层的部分；在该第一导电层附近设置一第二介电层；在该第一导电层及该第二介电层上设置一第二导电层，并在该第二导电层上设置一第一介电层；移除该第一介电层、该第二导电层及该第二介电层的部分，以形成包括该第一导电层、该第二导电层及该第二介电层的一第一位元线结构，以及形成包括该第二介电层、一第三导电层及一第三介电层的一第二位元线结构，并在该第一位元线结构与该第二位元线结构之间形成一凹槽；在该第一位元线结构周围形成一第一间隙子，以及在该第二位元线结构周围形成一第二间隙子；在该凹槽内与该基底上形成一第一多晶硅层；沿该第一间隙子的侧壁、该第二间隙子的侧壁及该第一多晶硅层上形成一介电衬垫；在该第一多晶硅层上形成一第二多晶硅层；以及移除该介电衬垫的部分。
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