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申请/专利权人：南京德睿智芯电子科技有限公司
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种电流镜的抗尖峰电路，包括PMOS电流镜抗尖峰电路由MP1至MP10、MN1至MN4组成，NMOS电流镜抗尖峰电路偏置电路由MP11至MP14、MN5至MN14组成以及两组共源共栅偏置电压输入PC与PB、NC与NB。本发明可以减少上电和使能复位过程中导致的基准电流过冲。
主权项：1.一种电流镜的抗尖峰电路，其特征在于：包括PMOS电流镜抗尖峰电路；所述PMOS电流镜抗尖峰电路包括共源共栅电流镜PMOS管MP4和MP5、MP6和MP7、MP9和MP10，栅压控制PMOS管MP1、MP2、MP3和MP8，NMOS管MN1、MN2、MN3和MN4；PMOS管MP4、MP6、MP9、MP1的栅极和PMOS管MP2的漏极均接偏置电压PB，源极接电源；PMOS管MP5、MP7、MP10的栅极和PMOS管MP8的漏极均接偏置电压PC，PMOS管MP4的漏极与PMOS管MP5的源极连接，PMOS管MP9的漏极与PMOS管MP10的源极连接，PMOS管MP6的漏极与PMOS管MP7的源极连接，PMOS管MP10、MP5的漏极和NMOS管MN4的源极均与NMOS管MN3的漏极相连，PMOS管MP8的栅极和PMOS管MP7的漏极均与NMOS管MN2的漏极相连，NMOS管MN1、MN2、MN3的栅极与PMOS管MP1的漏极连接，PMOS管MP2的栅极与MP3的栅极连接，PMOS管MP3的栅极与漏极连接，PMOS管MP3的漏极与NMOS管MN4的漏极连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京德睿智芯电子科技有限公司 一种电流镜的抗尖峰电路
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