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申请/专利权人：东南大学

摘要：本发明公开一种碳化硅器件电流源型逆变器桥臂串扰尖峰预测方法，其特征在于，所述预测方法包括电流源型双脉冲测试电路、串扰电压尖峰的计算以及各参数对串扰尖峰大小影响程度的分析。本发明预测方法通过分析碳化硅SiCMOSFET和与之串联的SiC肖特基二极管高频开关动作造成的MOSFET栅源极之间的横向传导扰动机理，基于电流源型双脉冲测试等效电路和串扰诱发机理，推导碳化硅器件电流源型逆变器桥臂串扰电压尖峰的预测模型，准确预测了串扰尖峰电压的最大值，有利于通过预测模型分析驱动回路、功率回路各参数对串扰电压尖峰的影响。

主权项：1.一种碳化硅器件电流源型逆变器桥臂串扰尖峰预测方法，其特征在于，所述预测方法包括电流源型双脉冲测试电路、串扰电压尖峰的计算以及各参数对串扰尖峰大小影响程度的分析；所述的电流源型双脉冲测试电路中，由MOSFET和肖特基二极管串联组成的两组反向电压阻断合成器件分别接于电容两端；所述电容为三相电流源型逆变器交流侧的滤波电容等效而来，构成电流源型逆变器的一个桥臂，用于模拟三相电流源型逆变器的开关切换过程；所述的串扰电压尖峰的计算中，计算电流源型逆变器桥臂串扰电压尖峰的最大值为： 其中，t为电流在开关切换过程中上升、下降的时间，表示为： I0为流过器件的负载电流，Cgs为受串扰影响器件栅源极结电容，gm为器件跨导，x为器件转移特性曲线ich＝k1Vgs-Vthx+k2中的拟合系数，Vth为器件阈值电压，Vmiller为米勒平台电压，Vcc为驱动正压，Rg、Lg分别为串扰发生阶段电流源型双脉冲测试等效电路中受干扰器件栅极电阻和驱动回路杂散电感，Ciss为受串扰影响器件的输入电容，是栅漏结电容和栅源结电容之和，Ls为受串扰影响器件内部共源电感和PCB杂散电感之和；所述串扰电压尖峰影响因素中，栅极电阻、共源电感和串联二极管结电容大小为主要影响因素，具体表现为，在didt一定时，第三开关管的栅极电阻越小，器件承受的串扰尖峰越大；共源电感越大，第三开关管承受的串扰尖峰越大；串联二极管结电容越大，第一开关管的开通导致第三开关管中二极管两端电压出现突变，与结电容耦合产生的反向恢复电流越大，使得流过第三开关管的电流反向过零数值越大，二极管的反向恢复过程越明显，从而导致第三开关管承受的正向串扰尖峰越大。

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