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申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司
摘要：本发明涉及一种消除宽条型大功率半导体激光器功率尖峰的芯片，属于半导体激光器芯片制备技术领域。芯片包括叠层结构，叠层结构自下至上依次设置有衬底、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型低折射率系数高限制效率层、P型限制层和欧姆接触层；欧姆接触层两侧对称位置分别设置有波导槽，波导槽贯穿欧姆接触层，波导槽底部下陷至P型限制层，两波导槽之间形成脊波导。本发明通过增加高阶模损耗结构将功率尖峰处的侧向高阶模引出激光器谐振腔，使之不能形成激射，进而有效抑制功率尖峰现象。
主权项：1.一种消除宽条型大功率半导体激光器功率尖峰的芯片，其特征在于，包括叠层结构，叠层结构自下至上依次设置有衬底、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型低折射率系数高限制效率层、P型限制层和欧姆接触层；欧姆接触层两侧对称位置分别设置有波导槽，波导槽贯穿欧姆接触层，波导槽底部下陷至P型限制层，两波导槽之间形成脊波导；P型低折射率系数高限制效率层的折射率小于P型限制层；脊波导边缘的功率尖峰处设置有若干高阶模损耗结构，高阶模损耗结构为深孔状结构，依次完全贯穿蚀欧姆接触层、P型限制层和P型低折射率系数高限制效率层，深孔状结构截面形状为圆形或任意多边形，深孔状结构内填充有高吸光系数材料Ge、Si或SiN；深孔状结构内顶部覆盖有绝缘层；高阶模损耗结构沿欧姆接触层水平方向直线排列，直线排列的各高阶模损耗结构间距为20~50μm；欧姆接触层一侧垂直方向设置奇数列高阶模损耗结构，每列高阶模损耗结构间距小于5μm，中间一列高阶模损耗结构最大宽度小于5μm，两侧高阶模损耗结构宽度逐渐递减，每列递减1~2μm。
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权利要求：
百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种消除宽条型大功率半导体激光器功率尖峰的芯片
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