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申请/专利权人：中环领先半导体科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种外延片及其制备方法，涉及半导体制造技术领域。外延片的制备方法，包括：在位于反应腔内的衬底上形成外延结构，外延结构包括沟道层；在生长沟道层的过程中，向反应腔内通入镓源和氮源，反应腔的温度为1025～1070℃；反应腔的压力为200～400mbar；镓源具有第一流量Q1，氮源具有第二流量Q2，满足：500≤Q2Q1≤5000。本申请通过控制反应腔的温度和压力以及镓源与氮源的流量比制备得到的外延片中的沟道层具有更优的晶体质量及更低的深能级缺陷密度，从而提高了外延片的性能。
主权项：1.一种外延片的制备方法，其特征在于，包括：在位于反应腔内的衬底1上形成外延结构，所述外延结构包括沟道层2；其中，在形成所述沟道层2的过程中，向所述反应腔内通入镓源和氮源，所述反应腔的温度为1025～1070℃；所述反应腔的压力为200～400mbar；所述镓源具有第一流量Q1，所述氮源具有第二流量Q2，满足：500≤Q2Q1≤5000。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中环领先半导体科技股份有限公司 一种外延片及其制备方法
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