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申请/专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种高阻外延片电阻率的测量方法，针对反型高阻外延层的电阻率的量测，在衬底上形成外延层，外延层与衬底的掺杂类型相反，且外延层的掺杂浓度高于衬底的掺杂浓度，或者外延层的掺杂浓度与衬底的掺杂浓度的差值小于等于一个数量级，以避免衬底内的掺杂离子扩散至外延层内，保证了外延层电阻率测试的准确性。通过先执行特定的预处理，去除所述外延层的表面自然氧化层和颗粒以使外延层的表面洁净，减少电学干扰，满足量测需求；再将所述高阻外延置于四探针机台上采用四探针法对所述外延层进行IV测试，根据四探针的电流源电压以及所述外延层端电流电压特性，准确测量高阻外延的电阻率。
主权项：1.一种高阻外延电阻率的测量方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成外延层，所述外延层与所述衬底的掺杂类型相反，且所述外延层的掺杂浓度高于所述衬底的掺杂浓度，或者所述外延层的掺杂浓度与所述衬底的掺杂浓度的差值小于等于一个数量级，在所述外延层表面形成有自然氧化层和颗粒；执行特定的预处理，去除所述外延层的表面自然氧化层和颗粒；采用四探针法对所述外延层进行IV测试，根据四探针的电流源电压以及所述外延层端电流电压特性，测量所述外延层电阻率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新昇半导体科技有限公司 一种高阻外延电阻率的测量方法及反型高阻外延硅片
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