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PMOS触发的双向SCR器件 

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申请/专利权人:西安理工大学

摘要:本发明公开了PMOS触发的双向SCR器件,包括P衬底及深N阱,深N阱上的N阱二的上表面、P+注入区二的右侧、P+注入区三的左侧设有氧化层,氧化层连接电源VDD,P+注入区一和N+注入区一共同连接电路的信号输入输出端IO,N+注入区二和P+注入区四共同接地VSS;还包括二极管Dio和PMOS晶体管Mp0,二极管Dio的阳极接IO,二极管Dio的阴极接氧化层;PMOS晶体管Mp0的源极和衬底接VDD,PMOS晶体管Mp0的栅极接VSS,PMOS晶体管Mp0的漏极接氧化层。本发明属于集成电路静电放电防护技术领域,本发明的PTBSCR器件在正向和负向ESD放电模式下均可正常工作。

主权项:1.PMOS触发的双向SCR器件,依赖于一种PTBSCR器件,包括氧化层14,其特征在于:还包括二极管Dio和PMOS晶体管Mp0,二极管Dio的阳极接IO,二极管Dio的阴极接氧化层14;PMOS晶体管Mp0的源极和衬底接VDD,PMOS晶体管Mp0的栅极接VSS,PMOS晶体管Mp0的漏极接氧化层14。

全文数据:

权利要求:

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