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申请/专利权人：京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要：本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于电子器件领域。该发光二极管芯片包括：外延层、电流阻挡层、电极和电极线；电流阻挡层位于外延层的一面；电极和电极线位于电流阻挡层背向外延层的一面，电极线的第一端与电极相连，电极线的第二端背离电极延伸，沿电极线的延伸方向，电极线的宽度逐渐减小。本公开能够有效的提升发光二极管芯片的光效。
主权项：1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：外延层10、电流阻挡层20、电极30和电极线40；所述电流阻挡层20位于所述外延层10的一面；所述电极30和所述电极线40位于所述电流阻挡层20背向所述外延层10的一面，所述电极线40的第一端与所述电极30相连，所述电极线40的第二端背离所述电极30延伸，沿所述电极线40的延伸方向，所述电极线40的宽度逐渐减小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 京东方华灿光电(苏州)有限公司 发光二极管芯片及其制备方法
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